ВендорSAMSUNG
Основные характеристики
ИнтерфейсSATA III
Объем накопителя250 ГБ
Форм-фактор2.5"
Максимальная скорость чтения550 Мб/с
Максимальная скорость записи520 Мб/с
Время наработки на отказ1500000 ч
Тип памяти NAND3D TLC
Потребляемая мощность4 Вт
Толщина6.8 мм
Ресурс TBW150 Tb
Категория Применения (SSD)250GB
Особенности
ОсобенностиТип NAND: Samsung V-NAND 3bit MLC